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絕緣電阻功能計量專用變頻介質(zhì)損耗測試儀的正切值是什么


絕緣電阻功能計量專用變頻介質(zhì)損耗測試儀的正切值是什么一、使用說明

1.1、主菜單

打開電源開關(guān),進入主菜單(如圖5—1);選擇界面右邊相應的測試選項進行測量。

※ 注:  儀器啟動測試后,緊急情況若停止,只能按緊急停機,不要按復位。

1.2、一般測試

首先根據(jù)相應的接線提示接好儀器外部與被試品之間的連線,然后點擊主界面“一般測試”選項,進入下上等一般測試菜單(如圖52)。然后可以點擊“參數(shù)設(shè)置”進去設(shè)置菜單(如圖53)進行詳細的測試參數(shù)設(shè)置。

分別點擊每個需要設(shè)置的項目,按“增加”“減小”或“選擇”來修改。修改完成后點擊“保存”即可保存剛才所修改的參數(shù)并返回一般測試界面,點擊“取消”則不保存本次修改并返回一般測試界面。

相關(guān)參數(shù)設(shè)置好了后長按“啟動測試”單,進入測試菜單。測試過程中電壓值一項是根據(jù)先前所選擇的測試電壓平滑上升至設(shè)置值后保持不變,然后自動開始測試。開始測試后根據(jù)先前所選擇的測試頻率自動變頻到各相應的頻率進行測試,測試完成后自動顯示測試結(jié)果(如圖54);測試結(jié)果自動保存,可點擊“打印”按鈕打印本次測試結(jié)果。

   意:每一種測試的具體參數(shù)設(shè)置和接線方法請查看第六章“參考接線” 。


絕緣電阻功能計量專用變頻介質(zhì)損耗測試儀的正切值是什么1.3、CVT測試

首先根據(jù)相應的接線提示接好儀器外部的連線,然后點擊主界面“CVT測試”選項,進入下上等CVT測試菜單(如圖55)。然后可以點擊“參數(shù)設(shè)置”進去設(shè)置菜單(如圖56)進行詳細的測試參數(shù)設(shè)置。分別點擊每個需要設(shè)置的項目,按“增加”“減小”或“選擇”來修改。修改完成后點擊“保存”即可保存剛才所修改的參數(shù)并返回CVT測試界面,點擊“取消”則不保存本次修改并返回CVT測試界面。

相關(guān)參數(shù)設(shè)置好了后長按“啟動測試”單,進入測試菜單(如圖57)。測試過程中電壓值一項是根據(jù)先前所選擇的測試電壓平滑至設(shè)置值后保持不變,然后自動開始測試。開始測試后根據(jù)先前所選擇的干擾頻率自動變頻到相應的頻率進行測試,測試完成后自動顯示測試結(jié)果(如圖58)。測試結(jié)果自動保存,可點擊“打印”按鈕打印本次測試結(jié)果。

    意:每一種測試的具體參數(shù)設(shè)置和接線方法請查看第六章“參考接線” 。


絕緣電阻功能計量專用變頻介質(zhì)損耗測試儀的正切值是什么1.4、CVT變比測試

首先根據(jù)相應的接線提示接好儀器外部的連線, 進入CVT測試菜單在參數(shù)設(shè)置中選擇“CVT變比測試”,然后返回開始測試界面(如圖59),長按“啟動測試”開始測量(如圖510),測試完成后自動顯示測試結(jié)果(如圖511)。測試結(jié)果自動保存,可點擊“打印”按鈕打印本次測試結(jié)果。  

              

絕緣電阻功能計量專用變頻介質(zhì)損耗測試儀的正切值是什么1.5、正反同測

首先根據(jù)相應的接線提示接好儀器外部的連線, 進入正反同測菜單,在參數(shù)設(shè)置中選擇設(shè)置需要測試的高壓電壓,然后保存返回(如圖512),長按“啟動測試”開始測量,測試完成后自動顯示測試結(jié)果(如圖513)。測試結(jié)果自動保存,可點擊“打印”按鈕打印本次測試結(jié)果。

1.6、LCR測試

首先根據(jù)相應的接線提示接好儀器外部與被試品之間的連線,按照【正接法(常規(guī)接線)】或者【反接法(常規(guī)接線)】然后點擊主界面LCR測試”選項,進入下上等LCR測試菜單。

然后可以點擊“參數(shù)設(shè)置”進去設(shè)置菜單進行詳細的測試參數(shù)設(shè)置。分別點擊每個需要設(shè)置的項目,按“增加”“減小”或“選擇”來修改。修改完成后點擊“保存”即可保存剛才所修改的參數(shù)并返回一般測試界面,點擊“取消”則不保存本次修改并返回一般測試界面。長按“啟動測試”開始測量,測試完成后自動顯示測試結(jié)果(如圖514)。測試結(jié)果自動保存,可點擊“打印”按鈕打印本次測試結(jié)果。

絕緣電阻功能計量專用變頻介質(zhì)損耗測試儀的正切值是什么1.7、絕緣測試

首先根據(jù)相應的接線提示接好儀器外部與被試品之間的連線,然后點擊主界面“絕緣測試”選項,進入下上等絕緣測試菜單。然后可選擇測試方式為正接法或反接法,選擇合適的測試電壓。設(shè)置好相關(guān)參數(shù)之后即可點擊下方“極化指數(shù)”“吸收比”“絕緣電阻”進行測試。

1.8、數(shù)據(jù)查詢

在主菜單點擊“數(shù)據(jù)管理”進入數(shù)據(jù)管理界面(如圖516),點擊“數(shù)據(jù)查詢”進入。進入數(shù)據(jù)存放菜單(如圖517)后,按上、下鍵移動光標至想要查看的數(shù)據(jù)項目上,(儀器所保存的數(shù)據(jù)均是按照測量時間的先后所排列的,第000個數(shù)據(jù)即*新數(shù)據(jù),第199個數(shù)據(jù)即*老數(shù)據(jù)。)再點擊相應的數(shù)據(jù),進入數(shù)據(jù)打印項目,在此菜單里面可以按上,下鍵翻頁至相應的數(shù)據(jù)序號上,可對數(shù)據(jù)進行打印操作。

1.9、參數(shù)設(shè)置

打開儀器后直接點擊“參數(shù)設(shè)置”進入時間設(shè)置界面。進入時間菜單(如圖5—18)后,點擊想要修改的時間數(shù)據(jù)項目上,然后再按增加、減小鍵調(diào)整相應的“時” 、“分” 、“秒” ,*后點擊保存修改時間設(shè)置,點擊取消退出設(shè)置并返回主界面。

※ 注:

所有圖片并非實物的全部描敘,請以實際儀器界面為主,僅做參考。

所有步驟在設(shè)置不當或想再次改變的情況下,均可按取消鍵返回上一步驟,如果按取消鍵不能實現(xiàn)返回。則可以直接按復位鍵退到主菜單重新開始設(shè)置。

二、參考接線

(具體請參閱相關(guān)規(guī)程)

1、正接法

1、內(nèi)電壓—內(nèi)標準—正接法(電容常規(guī)接線)

2、內(nèi)電壓—正接法(絕緣電阻接線)

3、內(nèi)電壓—外標準—正接法(必須先設(shè)置好外接標準容量)

4、外電壓—內(nèi)標準—正接法

5、外電壓—外標準—正接法(必須先設(shè)置好外標準容量) 

2、反接法

1、內(nèi)電壓—內(nèi)標準—反接法(常規(guī)接線)

2、內(nèi)電壓—外標準—反接法(必須先設(shè)置好外標準容量)

3、外電壓—內(nèi)標準—反接法

4、外電壓—外標準—反接法(必須先設(shè)置好外標準容量)

3、CVT測試(注意:CVT測試時高壓線應懸空不能接觸地面,否則其對地附加介損會引起誤差。)

1、CVT同時測試

(一次完成測試)

2、CVT分別測試

(普通測試)

3、不拆高壓引線測試CVT電容值和介損測量模式:CVT自激法。電壓≤ 2kV

4、反接屏蔽法測量CVT上端C0的電容值和介損測量模式:反接法。電壓≤2kV

4、CVT變比測試

5、正反同測

三繞組變壓器CHG+CHL高壓線屏蔽接T繞組)

三繞組變壓器CLG+CLT(高壓線屏蔽接HV繞組)

三繞組變壓器CTG+CHT(高壓線屏蔽接LV繞組)

介質(zhì)損耗測試儀采用一個固體棒狀元件,它工作在一定頻率下,沿其軸向方向旋轉(zhuǎn)振蕩,傳感器只有一個暴露的元件,允許流體在傳感器表面自由的流動。當該元件剪切流體時,它將因粘度阻力變化而損失能量,損失的能量被電子線路檢測。由處理器轉(zhuǎn)換成可顯示的粘度讀數(shù)。

 

儀器為一體化結(jié)構(gòu),內(nèi)置介損測試電橋,可變頻調(diào)壓電源,升壓變壓器和SF6高穩(wěn)定度標準電容器。測試高壓源由儀器內(nèi)部的逆變器產(chǎn)生,經(jīng)變壓器升壓后用于被試品測試。頻率可變?yōu)?span lang="EN-US">45Hz或55Hz,55Hz65Hz,采用數(shù)字陷波技術(shù),避開了工頻電場對測試的干擾,從根本上解決了強電場干擾下準確測量的難題。同時適用于全部停電后用發(fā)電機供電檢測的場合。該儀器配以絕緣油杯可測試絕緣油介質(zhì)損耗。

 

適用于固體電工絕緣材料如絕緣漆、樹脂和膠、浸漬纖制品、層壓制品、云母及其制品、塑料、電纜料、薄膜復合制品、陶瓷和玻璃等的相對介電系數(shù)(ε)與介質(zhì)損耗角正切值(tgδ)的測試。本電極主要用于頻率在工頻50Hz下測量試品的相對介電系數(shù)(ε)和介質(zhì)損耗角正切值(tgδ)。本電極的設(shè)計主要是參照國標GB1409-2006。

 

介電特性是電介質(zhì)材料極其重要的性質(zhì)。在實際應用中,電介質(zhì)材料的介電系數(shù)和介質(zhì)損耗是非常重要的參數(shù)。例如,制造電容器的材料要求介電系數(shù)盡量大,而介質(zhì)損耗盡量小。相反地,制造儀表絕緣器件的材料則要求介電系數(shù)和介質(zhì)損耗都盡量小。而在某些特殊情況下,則要求材料的介質(zhì)損耗較大。所以,通過測定介電數(shù)(ε)及介質(zhì)損耗角正切(tgδ),可進一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù)。

 

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